特許

J-GLOBAL ID：200903057192711999

誘電体膜の形成方法およびその形成装置

発明者： 西川 孝司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-171352
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332007
出願日： 1999年06月17日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】Si基板上のCeO2 膜の成長においてSiO2 層の形成やダブルドメインの形成を抑制し、結晶性の高いCeO2 膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 K-セル中に金属Ceを収納し、薄膜形成に先立って加熱することにより高純度化しておく。Si基板17表面にCeのみを照射して、蒸発Ce原子18がSi基板17に衝突し、この拡散Ce原子19が基板上を二次元的に分散して固定Ce原子20となり、単原子層であるCe原子層21が形成される。次に、酸素のみを供給することによって、すでに形成されているCe原子層21の上に固定O原子24のみからなる単原子層のO原子層25が形成される。このようなMEEモードを利用して、Ce原子層21とO原子層25とを交互に積層することにより、Si基板の(001)面上に結晶性の高い(001)面を有するCeO2 層を形成することができる。

請求項（抜粋）：

金属Ceを原料に用い、エピタキシ法を用いて、Si基板上にCeO2 膜を形成することを特徴とする誘電体膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01S 5/30 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

H01L 21/316 B ,  H01L 21/203 M ,  H01S 3/18

Fターム (20件)：

5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF20 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01 ,  5F073CB20 ,  5F073DA06 ,  5F073DA33 ,  5F103AA04 ,  5F103BB04 ,  5F103BB16 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL07 ,  5F103LL14 ,  5F103NN01 ,  5F103NN05 ,  5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭57-211267
  
• MISキャパシタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-323910   出願人：ティーディーケイ株式会社