特許

J-GLOBAL ID：200903057201579446

薄膜ガスセンサ

発明者： 田畑 総一 ,  檜垣 勝己 ,  佐々木 博一 ,  大西 久男 ,  鈴木 卓弥 ,  国原 健二 ,  松原 健 ,  小林 光男 ,  荻野 慎次
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社 ,  富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-063224
公開番号（公開出願番号）：特開2003-262598
出願日： 2002年03月08日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】 薄膜ガスセンサのガス選択性を改善し、経時的安定性を向上させる。【解決手段】 外周部または両端部が厚く中央部が薄く形成されたダイアフラム様の支持基板1上に薄膜のヒーター3を形成し、この薄膜のヒーター3を電気絶縁膜4で覆い、その上にガス感知膜用の電極6を形成し、さらに半導体薄膜によりガス感知膜7を形成した後、その最表面に選択燃焼層8を形成した薄膜ガスセンサにおいて、選択燃焼層8のバインダとしてアルミナゾルを用いることにより、ガス選択性を改良し、経時的安定性を改善する。

請求項（抜粋）：

薄膜状の支持膜の外周または両端部をSi基板により支持し、外周部または両端部が厚く、中央部が薄く形成されたダイアフラム様の支持基板上に薄膜のヒーターを形成し、この薄膜のヒーターを電気絶縁膜で覆い、その上にガス感知膜用の電極を形成し、さらに半導体薄膜によりガス感知膜を形成した後、その最表面にAl2O3,Cr2O3,Fe2O3,Ni2O3,ZnO,SiO2のいずれかの多孔質金属酸化物と、PdまたはPtの貴金属触媒からなる選択燃焼層を設けてなる薄膜ガスセンサにおいて、前記選択燃焼層のバインダとしてアルミナゾルを用いたことを特徴とする薄膜ガスセンサ。

Fターム (20件)：

2G046AA11 ,  2G046AA19 ,  2G046AA21 ,  2G046AA24 ,  2G046BA01 ,  2G046BA04 ,  2G046BA06 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BE03 ,  2G046FB00 ,  2G046FB02 ,  2G046FE03 ,  2G046FE10 ,  2G046FE12 ,  2G046FE25 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE38 ,  2G046FE48

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-248054
  
• 特開平2-021256
  
• 薄膜ガスセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-109027   出願人：富士電機株式会社