特許
J-GLOBAL ID：200903049742831153

薄膜ガスセンサ

発明者：
鈴木 卓弥

鈴木 卓弥 について

, 
小野寺 克己

小野寺 克己 について

, 
国原 健二

国原 健二 について

, 
近藤 健治

近藤 健治 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-109027
公開番号（公開出願番号）：特開2001-289808
出願日： 2000年04月11日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】【課題】 十分なガス感度を有し、ガス選択性に優れた薄膜ガスセンサを提供する。【解決手段】 ヒーター層3の上に感知膜電極5を形成し、その上に感知膜6を形成し、さらにその上にフィルタ層7を形成した薄膜ガスセンサにおけるフィルタ層7の外周部が、ヒーター層3の外周部の内側にあるように構成することで、フィルタ層7の温度分布を低減し、掲記課題の解決を図る。
請求項（抜粋）：
Si基板の一側面中央部がダイヤフラム様にくりぬかれた基板面上に、支持膜を介して薄膜ヒーターを形成し、その上に電気絶縁層を介して感知膜電極を形成し、その上に感知膜を形成し、さらにその上にフィルタ層を形成した薄膜ガスセンサにおいて、前記フィルタ層の外周部が前記薄膜ヒーターの外周部よりも外側に出ないで内側にあることを特徴とする薄膜ガスセンサ。
FI (2件)：
G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 C
Fターム (21件)：
2G046AA11 ,  2G046AA19 ,  2G046AA21 ,  2G046BA01 ,  2G046BB03 ,  2G046BB04 ,  2G046BC01 ,  2G046BD03 ,  2G046BE03 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA08 ,  2G046EA11 ,  2G046FB02 ,  2G046FE03 ,  2G046FE10 ,  2G046FE12 ,  2G046FE25 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G046FE48
引用特許：
審査官引用 (18件)
  • 一酸化炭素ガスセンサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-041791   出願人：富士電機株式会社
  • ガスセンサおよびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-048946   出願人：富士電機株式会社
  • 厚膜ガスセンサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-227662   出願人：富士電機株式会社
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM