特許
J-GLOBAL ID：200903057205035491
高周波集積回路装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-172385
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017349
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】パワーデバイス素子に対して優れた放熱効果を有し、かつ約0.2cc程度の容積に超小型化できると共に、低価格化が図られる高周波パワーモジュールを得る。【解決手段】2層以上の基板層10,13および1層以上の金属層11,12を含む多層基板1の一面に金属層11を露出させて凹部15が形成され、この凹部15内にパワー半導体装置2が搭載され、この凹部15以外の前記多層基板1の表面にチップ部品3が搭載され、多層基板1の表層と内層とに回路配線層8,9が形成されたパワーモジュールで、前記凹部15から前記多層基板1の裏面に放熱用スルーホール16であるサーマルビアが設けられている。
請求項（抜粋）：
2層以上の基板層および1層以上の金属層を含む多層基板の一面に前記金属層を露出させた凹部が形成され、この凹部内に半導体装置が搭載され、前記凹部以外の前記多層基板表面にチップ部品が搭載され、前記多層基板の表層と内層とに回路配線層が形成された高周波集積回路装置において、前記凹部から前記多層基板の裏面に放熱用スルーホールであるサーマルビアが設けられたことを特徴とする高周波集積回路装置。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, H01L 23/12 301
, H05K 1/02
H05K 3/46 U
, H05K 3/46 G
, H01L 23/12 301 J
, H05K 1/02 F
