特許
J-GLOBAL ID:200903057207353415
プラズマエッチング用電極板
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小池 信夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-171811
公開番号(公開出願番号):特開2001-007082
出願日: 1999年06月18日
公開日(公表日): 2001年01月12日
要約:
【要約】【課題】 消耗が少なく長時間使用可能であり、パーティクルの発生が少なく、かつ、安価で安定したプラズマを発生させることができるプラズマエッチング用電極板を提供する。【解決手段】 開気孔率が10〜40%、結晶構造が6H型のα-SiCを主体とする多孔性の炭化ケイ素焼結体の基体に穿孔工程によりガス導入孔を多数形成する。また、穿孔工程後焼結体を加熱処理する。
請求項(抜粋):
ガス導入孔を有するプラズマエッチング用電極板であって、開気孔率が10〜40%であり、結晶構造が6H型のα-SiCを主体とする炭化ケイ素焼結体からなることを特徴とするプラズマエッチング用電極板。
IPC (3件):
H01L 21/3065
, C04B 35/565
, C23F 4/00
FI (3件):
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
, C04B 35/56 101 Y
Fターム (22件):
4G001BA22
, 4G001BB22
, 4G001BB71
, 4G001BC12
, 4G001BC13
, 4G001BC17
, 4G001BC54
, 4G001BC71
, 4G001BC73
, 4G001BD22
, 4G001BE02
, 4G001BE33
, 4K057DD03
, 4K057DE06
, 4K057DM02
, 4K057DM10
, 4K057DN01
, 5F004BA04
, 5F004BB13
, 5F004BB32
, 5F004DA16
, 5F004DA23
引用特許:
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