特許

J-GLOBAL ID：200903057222422539

高密度薄膜多層配線基板の製造方法

発明者： 天明 浩之 ,  山崎 哲也 ,  福島 誠 ,  坂本 治久 ,  雨宮 恭子 ,  佐藤 秀己
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-212449
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078846
出願日： 1994年09月06日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 微細配線を持つ薄膜多層配線基板の製造方法を提供するものである。【構成】 基板1上に第一層配線2を設け、前記配線2に絶縁膜3を形成し、これに層間接続を行うためのスルーホール5を形成する第一の工程と、前記絶縁膜3の表面および前記スルーホール5の側壁に導体膜6を形成する第二の工程と、めっきガイドパターン樹脂膜を前記絶縁膜3上に形成する第三の工程と、めっきを用いて、前記スルーホール内および前記樹脂膜内に金属を充填する第四の工程と、前記第三の工程で形成した樹脂膜の剥離と、第二の工程で形成した導体膜6の不要部分とをエッチングする第五の工程とからなり、前記第一の工程から前記第五の工程までを繰返すことにより多層配線を形成するものである。

請求項（抜粋）：

セラミクス、ガラス、有機樹脂の基板上に一層目の配線層を設け、前記配線層上に有機樹脂を絶縁層とし多層配線を施し、前記多層配線を配線パータンによる導電性膜により電気的に接続する高密度薄膜多層配線基板の製造方法において、前記配線層に絶縁層となる有機樹脂膜を形成し、これに層間接続を行うためのスルーホールを形成する第一の工程と、前記絶縁膜表面および前記スルーホール側壁に導電性膜を形成する第二の工程と、めっきガイドパターンとして逆転配線パターンを持つ樹脂膜を前記絶縁層上に形成する第三の工程と、電解めっきもしくは無電解めっきのいずれかを用いて、前記スルーホール内および前記樹脂膜の逆転配線パターン内に金属を充填する第四の工程と、前記第三の工程で形成した樹脂膜の剥離と、第二の工程で形成した導電性膜の不要部分とをエッチングする第五の工程とからなり、前記第一の工程から前記第五の工程までを繰返すことにより多層配線を形成することを特徴とする高密度薄膜多層配線基板の製造方法。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/40

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-115589
  
• 特開昭63-244798
  
• 配線基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-115056   出願人：富士通株式会社, 株式会社富士通東北エレクトロニクス
• 配線板の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-093231   出願人：日立化成工業株式会社