半導体製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡邉勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-285767
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122613
出願日： 1993年10月21日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】ローディングチャンバ内および反応室内を清浄な雰囲気に維持することができ、耐久性に優れ、サセプタを安定して移動させることができ、基板上にCVD法によって安定して成膜することのできる半導体製造装置を提供する。【構成】基板を支持するサセプタ3と、基板上に化学気相成長により膜を生成するための反応室1と、反応室1に連設されてサセプタ3上に基板を着脱するためのローディングチャンバ6と、サセプタ3を反応室1とローディングチャンバ6との間で往復移動させるリニアモータ21、22、或いは、ボールねじ機構27、30と、ローディングチャンバ6および反応室1の外部に配設されて磁気力によりサセプタ3を非接触で支持する磁気軸受装置19、24を備え、サセプタ3を機械的軸受を用いることなく非接触で支持しつつ反応室1とローディングチャンバ6との間で往復移動させる。

請求項（抜粋）：

基板を支持するサセプタと、基板上に化学気相成長(CVD)により膜を生成するための反応室と、該反応室に連設されてサセプタ上に基板を着脱するためのローディングチャンバと、前記サセプタを反応室とローディングチャンバとの間で往復移動させる駆動機構とを備えた半導体製造装置において、前記ローディングチャンバおよび反応室の外部に配設されて磁気力により前記サセプタを非接触で支持する磁気軸受装置を備えたことを特徴とする半導体製造装置。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-152820
特開平2-251132
特開平1-225330

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