特許
J-GLOBAL ID:200903057244167338

ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-138471
公開番号(公開出願番号):特開2000-330255
出願日: 1999年05月19日
公開日(公表日): 2000年11月30日
要約:
【要約】【課題】ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクを構成している薄膜が非結晶膜であっても、位相差や透過率の変化を低減できるよう各層の薄膜選定に制限を設けた2層型のハーフトン型位相シフトマスク用ブランク及びそれを用いて作製したハーフトン型位相シフトマスクを提供することを目的とする。【解決手段】透明基板側の下層膜が比較的遮光性の薄膜、上層膜が比較的透明性の薄膜又は逆構造のハーフトン型位相シフトマスク用ブランクは、熱プロセス等のエネルギーを与えたとき、それらの薄膜の屈折率の変化方向が逆であるか、若しくはそれらの薄膜の膜厚の変化方向が逆であるような組み合わせにする。さらに、ハーフトン型位相シフトマスク用ブランクをパターニング処理してハーフトン型位相シフトマスクを得る。
請求項(抜粋):
透明基板上に金属酸化物、半導体酸化物、金属窒化物及び半導体窒化物からなる群から選ばれる比較的透明性を有する少なくとも1種の薄膜と、それよりも遮光性を有する薄膜の2層膜からなるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、前記透明性の薄膜及び遮光性の薄膜に熱プロセス等のエネルギーを与えたとき、それらの薄膜の屈折率の変化方向が逆であるか、若しくはそれらの薄膜の膜厚の変化方向が逆であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。
IPC (2件):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (3件):
G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 K ,  H01L 21/30 528
Fターム (4件):
2H095BB03 ,  2H095BB35 ,  2H095BC04 ,  5F046BA08
引用特許:
審査官引用 (1件)

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