特許
J-GLOBAL ID：200903057250662987

窒化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
筆田 麻祐子

筆田 麻祐子 について

, 
角田 篤勇

角田 篤勇 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-143705
公開番号（公開出願番号）：特開2008-066704
出願日： 2007年05月30日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：
【課題】従来と比較してPN接合部分のショートや電流リークが低減された、信頼性の高い窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】導電性基板と、第1の金属層と、第2の導電型半導体層と、発光層と、第1の導電型半導体層と、をこの順で含む窒化物半導体発光素子であって、さらに絶縁層を有し、前記絶縁層は、少なくとも、前記第2の導電型半導体層、前記発光層および前記第1の導電型半導体層の側面を覆っていることを特徴とする窒化物半導体発光素子、およびその製造方法。本発明の窒化物半導体発光素子は、さらに第2の金属層を含んでもよい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性基板と、第1の金属層と、第2の導電型半導体層と、発光層と、第1の導電型半導体層と、をこの順で含む窒化物半導体発光素子であって、 さらに絶縁層を有し、 前記絶縁層は、少なくとも、前記第2の導電型半導体層、前記発光層および前記第1の導電型半導体層の側面を覆っていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (10件)：
5F041AA21 ,  5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB04 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許第3511970号公報
審査官引用 (3件)

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