特許

J-GLOBAL ID：200903057259738811

シリコンウエーハの製造方法

発明者： 白井 宏 ,  吉川 淳 ,  神足 由加里 ,  下井 規弘 ,  真田 昌之 ,  鳥觜 修治
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社 ,  新潟東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-090135
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264552
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 低コストで高品質の表面仕上げが可能なシリコンウエーハの製造方法を提供する。【構成】 90μmを一辺とする正方形の枠内の粗さでRaが0.08〜0.70nm、rmsが0.10〜0.90nm、P-Vが0.80〜5.80nmであり、500nmを一辺とする正方形の枠内の粗さでRaが0.13〜0.40nm、rmsが0.18〜0.50nm、P-Vが1.30〜2.50nmであるシリコンウエーハを、1100〜1300°Cの温度範囲で30分以上4時間以内水素ガス雰囲気中でアニール処理することを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

請求項（抜粋）：

90μmを一辺とする正方形の枠内の粗さでRaが0.08〜0.70nm、rmsが0.10〜0.90nm、P-Vが0.80〜5.80nmであり、500nmを一辺とする正方形の枠内の粗さでRaが0.13〜0.40nm、rmsが0.18〜0.50nm、P-Vが1.30〜2.50nmであるシリコンウエーハを、1100〜1300°Cの温度範囲で30分以上4時間以内水素ガス雰囲気中でアニール処理することを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 21/324 Z ,  H01L 21/02 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体基材の加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-016524   出願人：キヤノン株式会社