特許

J-GLOBAL ID：200903057306159191

半導体装置の製造方法

発明者： 宮本 秀信
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 開口 宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307696
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145278
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 有機層間膜に微細なビアホールを形状よく形成する方法を提供する。【解決手段】 本発明では半導体基板101上にメタル配線層102を形成する工程と,有機層間膜103を形成する工程と、プラズマ窒化膜105を形成する工程と、リソグラフィーを用いてメタル配線102に目合わせされたフォトレジストパターン106を形成する工程と、レジストパターン106をマスクとしてプラズマ酸化膜105を下層のプラズマ窒化膜104に対して選択的に異方性エッチングする工程と、レジストパターン剥離後、プラズマ酸化膜105をマスクとして下層のプラズマ窒化膜104を異方性エッチングする工程と、次にプラズマ酸化膜105、プラズマ窒化膜104をマスクとして有機層間膜103を異方性エッチングしてメタル配線層102に連通するビアホール107を形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にメタル配線層を形成するメタル配線層形成工程と、このメタル配線層を形成した半導体基板上の全面にわたって有機層間膜を形成する有機層間膜形成工程と、この有機層間膜上にプラズマ窒化膜を形成するプラズマ窒化膜形成工程と、このプラズマ窒化膜上に、プラズマ酸化膜を形成するプラズマ酸化膜形成工程と、このプラズマ酸化膜上に、前記メタル配線層と目合わせされたビアホールを形成するためのレジストパターンを形成するリソグラフィー工程と、このレジストパターンをマスクにして、前記プラズマ酸化膜をプラズマ窒化膜に対して選択的に異方性エッチングするプラズマ酸化膜エッチング工程と、このプラズマ酸化膜をマスクにして、レジストパターンを剥離するレジストパターン剥離工程と、このレジストパターン剥離後に、プラズマ酸化膜をマスクにしてプラズマ窒化膜を異方性エッチングするプラズマ窒化膜エッチング工程と、前記プラズマ酸化膜及びプラズマ窒化膜をマスクにして、有機層間膜を異方性エッチングし、前記メタル配線層に連通するビアホールを形成する有機層間膜エッチング工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-244020   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-203240