特許
J-GLOBAL ID：200903057312343824
磁気抵抗効果膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-099951
公開番号（公開出願番号）：特開平9-288808
出願日： 1996年04月22日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、Fe-Mn反強磁性層を用いたスピンバルブ多層磁気抵抗効果膜において、Fe-Mnの反強磁性層の酸化による磁気抵抗効果特性の劣化を抑制することを目的とする。【解決手段】 基板上に下地層、第1の強磁性層、非磁性層、第2の強磁性層および反強磁性層の順で積層されたスピンバルブ型多層磁気抵抗効果膜において、第1および第2の強磁性層の磁化方向は膜面内にあり、第2の強磁性層は反強磁性層による交換結合磁界により磁化方向が固定されると共に、第1の強磁性層の磁化方向は固定されていない。この多層膜では、反強磁性層は2〜5nm の厚さの Cu層によって被覆されていることによって、下層にある反強磁性層の酸化を防止できる。
請求項（抜粋）：
基板上に下地層、第1の強磁性層、非磁性層、第2の強磁性層、反強磁性層および保護層の順で積層された多層膜であって、前記第2の強磁性層は前記反強磁性層による交換結合磁界により磁化方向が固定され、一方前記第1の強磁性層の磁化方向は固定されていない多層膜からなる磁気抵抗効果膜において、前記保護層の結晶構造および方位は前記反強磁性層のそれとほぼ同一であり、その膜厚は下部の反強磁性層の電気抵抗に比べ無視できる程度の厚さであると共に、且つ酸化物でないことを特徴とする磁気抵抗効果膜
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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