特許
J-GLOBAL ID：200903057321574219
電荷結合装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-095858
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274307
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 転送電極間の結合容量を低くして、消費電力を削減し高速動作を可能にする。段差を少なくして、固体撮像素子のスミア特性を改善する。【構成】 p型シリコン基板1上に埋め込みチャネル層2、バリア層3を形成し、基板上にゲート酸化膜4を介して、第1層目の転送電極5と第2層目の転送電極6を形成する〔図2(a)〕。ケミカル・メカニカル・ポリッシング(CMP)法により、第2層目の転送電極6の、第1層目の転送電極5と重なった部分を除去する〔図2(c)〕。層間絶縁膜を形成し、パルス伝送線の配線を施す。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面部に設けられたチャネル領域上に複数の転送電極が電荷転送方向に沿って狭い間隙を隔てて配列されている電荷結合装置において、前記電荷転送電極は隣接する電極同士が異なる層の導電層によって構成され、かつ、隣接する電荷転送電極同士は重なり合う部分を有していないことを特徴とする電荷結合装置。
IPC (2件)：
H01L 29/762
, H01L 21/339
