表示装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須藤克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-114851
公開番号（公開出願番号）：特開2005-300786
出願日： 2004年04月09日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】発光素子の駆動用トランジスタのパターンサイズを小さくし、表示画素の開口率を向上する。【解決手段】駆動用TFT85の第2の能動層111は、積層された2層のポリシリコン層102P,103Pから成る。上層のポリシリコン層103Pは、画素選択用TFT10の第1の能動層110を構成するポリシリコン層と同時に堆積されたものでこれと同じ膜厚を有している。したがって、第2の能動層111は下層のポリシリコン層102Pの膜厚分、厚く形成されている。第2の能動層111の平均結晶粒径は第1の能動層110の平均結晶粒径に比して小さい。このため、駆動用TFT85のキャリア移動度は画素選択用TFT10のキャリア移動度に比して小さくなる。これにより、駆動用TFT85の短チャネル化が可能となる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

複数の画素を備え、各画素は、電流の供給を受けて発光する発光素子と、ゲート信号に応じて各画素を選択するための画素選択用トランジスタと、前記画素選択用トランジスタを通して供給される表示信号に応じて前記発光素子に電流を供給する駆動用トランジスタとを備え、さらに、前記画素選択用トランジスタは、半導体材料から成る第1の能動層と、該第1の能動層上に第1のゲート絶縁層を介して形成された第1のゲート電極とを備え、前記駆動用トランジスタは、半導体材料から成る第2の能動層と、該第2の能動層上に第2のゲート絶縁層を介して形成された第2のゲート電極とを備え、前記第2の能動層は前記第1の能動層と異なる膜厚を有するとともに、前記第2の能動層を構成する前記半導体材料の平均結晶粒径は前記第1の能動層を構成する前記半導体材料の平均結晶粒径より小さいことを特徴とする表示装置。

IPC (5件)：

G09F9/30 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786 , H05B33/14

FI (9件)：

G09F9/30 338 , G09F9/30 365Z , H01L21/20 , H05B33/14 A , H01L29/78 618E , H01L29/78 618D , H01L29/78 618Z , H01L29/78 612Z , H01L29/78 627G

Fターム (42件)：

3K007AB02 , 3K007AB03 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 5C094AA02 , 5C094AA25 , 5C094AA53 , 5C094AA55 , 5C094BA03 , 5C094BA29 , 5C094CA19 , 5C094FB14 , 5C094JA08 , 5F052AA02 , 5F052BA01 , 5F052DA02 , 5F052DB01 , 5F052EA12 , 5F052EA15 , 5F052JA01 , 5F052JA03 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE04 , 5F110EE28 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG44 , 5F110HL03 , 5F110NN71 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110PP03 , 5F110PP35

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-279802 出願人：三洋電機株式会社

前のページに戻る