特許

J-GLOBAL ID：200903057332109143

半導体基板状に電子部品を形成する方法

発明者： マインドオーガス フェルナンド ダウタータス ,  イユ-ヒュエン ウォン
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-040658
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031840
出願日： 1998年02月23日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】エッチング処理をいつ終了すべきかを目視で判断できるようにする特徴物を提供することである。【解決手段】本発明のエッチング方法は、所定の距離離れた少なくとも2個の開口61、62を含むマスク60を介して基板11をエッチングし、前記一方の開口は、他方の開口よりも幅広く、前記エッチングは、各開口下の基板の個々のエッチングされた特徴63、64を形成し、この2個のエッチング特徴63,64が、合体して広い端部と狭い端部を有する1個のチャネル34になるまでエッチングを継続する(言い換えると、その時点でエッチングを停止する)ことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板(11)上に電子部品(13、14)を形成する方法において、所定の距離離れた少なくとも2個の開口(61、62)を含むマスク(60)を介して基板(11)の少なくとも一部をエッチングし、前記一方の開口(61)は、他方の開口(62)よりも幅広く、前記エッチングにより、各開口下の基板の個々のエッチングされた特徴(63、64)が形成され、この2個のエッチング特徴(63、64)が、合体して広い端部(38)と狭い端部(36)を有する1個のチャネル(34)になるまでエッチングを継続することを特徴とする半導体基板状に電子部品を形成する方法。

IPC (3件)：

H01L 31/12 ,  H01L 21/306 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 31/12 B ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/306 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• セルフアライメント型光学サブアセンブリ製作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-120461   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション