特許
J-GLOBAL ID：200903057333584120

結晶シリコン系薄膜太陽電池の製造方法及びそれを用いて形成した太陽電池

発明者：
岡 史人

岡 史人 について

, 
村松 信一

村松 信一 について

, 
佐々木 唯

佐々木 唯 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-139086
公開番号（公開出願番号）：特開2004-342909
出願日： 2003年05月16日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：
【課題】高い変換効率を有し、高スループットの結晶シリコン系薄膜太陽電池の製造方法及びそれを用いて形成した太陽電池を提供するものである。【解決手段】本発明に係る結晶シリコン系薄膜太陽電池40の製造方法は、基板上に結晶性シリコン層を有する結晶シリコン系薄膜太陽電池を製造する際に、上記結晶性シリコン層とは異なる材料からなる異種基板11上に、順に、結晶性シリコン前駆体層14よりも融点が高い物質で構成される電極層12、非晶質シリコン又は結晶成分を含む非晶質系シリコンからなる結晶性シリコン前駆体層14を形成し、その前駆体層14に半導体レーザのレーザ光21を照射し、前駆体層14を溶融・結晶化して上記結晶性シリコン層24を形成するものである。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に結晶性シリコン層を有する結晶シリコン系薄膜太陽電池を製造する際に、上記結晶性シリコン層とは異なる材料からなる異種基板上に、順に、導電性を有する電極層、非晶質シリコン又は結晶成分を含む非晶質系シリコンからなる結晶性シリコン前駆体層を形成し、その前駆体層に半導体レーザのレーザ光を照射し、前駆体層を溶融・結晶化して上記結晶性シリコン層を形成する結晶シリコン系薄膜太陽電池の製造方法において、上記電極層を、結晶性シリコン前駆体層よりも融点が高い物質で形成することを特徴とする結晶シリコン系薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (3件)：
H01L31/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268
FI (3件)：
H01L31/04 X ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 J
Fターム (24件)：
5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051CA13 ,  5F051CA15 ,  5F051CB30 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA21 ,  5F051FA25 ,  5F051GA03 ,  5F051HA19 ,  5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BA11 ,  5F052CA04 ,  5F052CA10 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA13 ,  5F052JA09
引用特許：
審査官引用 (4件)
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