多結晶の成長方法及び製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-261490
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091231
出願日： 1998年09月16日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】光を照射することによりアモルファス或いは多結晶を加熱し多結晶化する工程において、従来のレーザビームのサイズを越えた大面積基板の多結晶化を、重なりによる多結晶の不均一を生じせしめずに実現することを目的とする。【解決手段】半導体発光素子から放出される光を用いて点状、線状、或いは面状の光束を形成し、前記光束と前記被照射体とをひとつの方向に沿って相対的に移動させることにより前記被照射体の全面を光照射する。

請求項（抜粋）：

非晶質あるいは多結晶状態の被照射体を光照射により多結晶化せしめる多結晶の成長方法であって、半導体発光素子から放出される光を用いて点状、線状、或いは面状の光束を形成し、この光束を前記被照射体に照射することにより前記多結晶化することを特徴とする多結晶の成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268

FI (2件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 J

Fターム (8件)：

5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BA11 , 5F052BB07 , 5F052CA07 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052JA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体層の溶融再結晶化方法,及び半導体層を溶融再結晶化するための装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-214567 出願人：三菱電機株式会社
特開平3-232223
特開平2-112227

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