半導体記憶装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-068725
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283331
出願日： 1994年04月06日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 ROMの書込工程以降半導体記憶装置の完成までの工程を短縮することが可能な半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【構成】 MOSトランジスタのソース領域(5a,7a)に接続されるソース配線の一部に高抵抗ポリシリコン配線領域17cを設ける。

請求項（抜粋）：

1つのメモリセルが1つの電界効果トランジスタからなる半導体記憶装置であって、前記電界効果トランジスタのソース端子には、その一部に高抵抗体を有するソース配線が接続されている、半導体記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 21/8246 , H01L 27/112

引用特許：

審査官引用 (11件)

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