特許

J-GLOBAL ID：200903057363346593

半導体装置

発明者： 高橋 寛司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-251720
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106267
出願日： 1996年09月24日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 消費電力を低減させた、SRAMの半導体装置を提供する。【解決手段】 SRAMの行デコーダ2の各ワード線Wで選択されるメモリセル群の各電源ライン51と電圧供給源側の電源ライン52との間には、各々スイッチングMOSトランジスタ50を設け、ワード線Wの選択信号で、スイッチングMOSトランジスタ50を開閉し、メモリセル10の選択時には、ワード線で選択されるメモリセル群の電源ライン51を電圧供給源側の電源ライン52から遮断する。【効果】 SRAMの半導体装置の低消費電力化が可能となる。

請求項（抜粋）：

SRAMの半導体装置において、前記SRAMの行デコーダの各ワード線で選択されるメモリセル群の電源ラインと電圧供給源側の電源ラインとの間に、各々スイッチングMOSトランジスタを設け、前記ワード線の選択信号で、前記スイッチングMOSトランジスタを開閉することを特徴とするSRAMの半導体装置。

IPC (3件)：

G11C 11/412 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11

FI (2件)：

G11C 11/40 301 ,  H01L 27/10 381

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-244559   出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
• 特開昭58-122693