特許
J-GLOBAL ID：200903057377472982
スイッチング素子およびスイッチング素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
宮崎 昭夫
, 石橋 政幸
, 緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-081652
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244090
出願日： 2007年03月27日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】酸化物イオン伝導層を用いた電気化学反応を利用したスイッチング素子は、使用する前に初期化動作が必要となる。また、オフからオンとなる際の切り替え時間にばらつきが生じ、繰り返し回数が十分得られない。【解決手段】予め伝導する金属を分散させた酸化物イオン伝導層を用いてスイッチング素子を製造する。電気化学反応を利用して2つの電極を金属架橋で接続する際、分散した金属からも金属イオンを供給する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1電極と、第2電極と、該第1電極と第2電極間に挟まれた酸化物を含むイオン伝導層とを具える、電気化学反応を利用した2端子スイッチング素子であって、
該2端子スイッチング素子は、
前記第1電極と第2電極との間に、第1電極の電位より第2電極の電位が高くなるように電圧を印加する際、
前記第2電極から金属イオンが前記イオン伝導層中に供給され、
前記イオン伝導層中の前記金属イオンは、前記第1電極から電子を受け取って、金属となり析出し、
該金属の析出物の成長によって、前記第1電極表面から前記第2電極表面に達する金属架橋が形成され、
該金属架橋が前記第1電極と第2電極との間を電気的に接続することによって、前記第1電極と第2電極との間の抵抗が変化するスイッチング動作方式を採り、
前記イオン伝導層内に、前記金属イオンと同じ金属種の金属が予め分散されている
ことを特徴とするスイッチング素子。
IPC (3件)：
H01L 49/00
, H01L 45/00
, H01L 27/10
H01L49/00 Z
, H01L45/00 Z
, H01L27/10 451
5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083GA21
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA56
, 5F083JA57
, 5F083MA05
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083PR40
