特許

J-GLOBAL ID：200903030830530217

スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路、およびメモリ素子

発明者： 阪本 利司 ,  井口 憲幸 ,  砂村 潤
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-138213
公開番号（公開出願番号）：特開2006-319028
出願日： 2005年05月11日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：

【課題】 スイッチング電圧を従来よりも高く設定したスイッチング素子を提供する。【解決手段】 酸化タンタルを含むイオン伝導層23と、イオン伝導層に接して設けられた第1電極21と、イオン伝導層に接して設けられ、イオン伝導層に金属イオンを供給可能な第2電極22とを有する構成である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

酸化タンタルを含むイオン伝導層と、 前記イオン伝導層に接して設けられた第1電極と、 前記イオン伝導層に接して設けられ、前記イオン伝導層に金属イオンを供給可能な第2電極と、 を有するスイッチング素子。

IPC (4件)：

H01L 49/02 ,  H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 21/82

FI (4件)：

H01L49/02 ,  H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L21/82 A

Fターム (13件)：

5F064AA07 ,  5F064AA08 ,  5F064BB02 ,  5F064BB09 ,  5F064BB37 ,  5F064CC09 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 固体電解質スイッチング素子及びそれを用いたFPGA、メモリ素子、並びに固体電解質スイッチング素子の製造方法
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2003005393   出願人：独立行政法人科学技術振興機構, 独立行政法人理化学研究所, 日本電気株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体記憶素子及びこれを用いた半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-137651   出願人：ソニー株式会社
• スイッチング素子、スイッチング素子の駆動方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2004010206   出願人：日本電気株式会社
• 記憶素子及び記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-361755   出願人：ソニー株式会社