不揮発性記憶装置および半導体集積回路装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小森久夫 , 村上辰一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-346671
公開番号（公開出願番号）：特開2007-157183
出願日： 2005年11月30日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

【課題】標準C-MOSプロセスの製造工程を変更せずに製造可能であり、ゲート酸化膜厚の影響を受けない廉価な不揮発性メモリを提供する。【解決手段】負荷トランジスタT11,T21と記憶トランジスタT12,T22との直列回路一対を有して、それらをスタティックラッチ形態に接続してフリップフロップを構成し、このフリップフロップの入出力部P1,P2とビットラインBLT,BLBとの間にトランスファゲートT13,T23を接続し、さらにフリップフロップの2つの入出力部P1,P2にバッファ回路であるC-MOSインバータINV1,INV2を接続する。また、フリップフロップの2つの負荷トランジスタT11,T21のソースと電源ラインVCCとの間にリーク電流遮断素子T16,T26を設け、書き込み時にT16,T26を遮断する。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

負荷トランジスタと記憶トランジスタとの直列回路を一対有し、それらをスタティックラッチ形態に接続して成るフリップフロップを備えた不揮発性メモリと、該不揮発性メモリを駆動する駆動回路とを半導体基板上に設けた不揮発性記憶装置であって、前記半導体基板は第2導電型であり、該半導体基板に第1導電型の深いウエルを備えるとともに、該第1導電型の深いウエル内に第2導電型のウエルを備え、前記記憶トランジスタは、前記第2導電型のウエル内に第1導電型のソース・ドレインを有し、前記ソース・ドレイン間のチャンネルの上部にゲート絶縁膜を介してゲート電極を有し、該ゲート電極の側部に絶縁膜サイドスペーサを有し、且つ、前記ドレイン側の前記第2導電型のウエルに対する接合部が不純物濃度の低い低濃度領域を有するLDD構造であり、前記ソース側の前記第2導電型のウエルに対する接合部が前記LDD構造部分の低濃度領域が形成されてない構造であり、前記駆動回路は、前記記憶トランジスタのドレインに対して前記ゲート電極および前記ソースに正電圧を印加して、前記絶縁膜サイドスペーサにチャンネルホットエレクトロンを注入して情報の書込みを行い、前記ソースに対して前記ゲート電極に負電圧を印加し、前記第1導電型のウエルに正電圧を印加して、前記絶縁膜サイドスペーサにアバランシェホットホールを注入して情報の消去を行う回路を備え、前記不揮発性メモリは、書込・消去時に前記負荷トランジスタを介して前記フリップフロップの電源側へリーク電流が流れる電流経路に接続したリーク電流遮断素子を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置。

IPC (10件)：

G11C 16/04 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 27/105 , G11C 29/04 , G11C 16/02 , G11C 14/00 , G11C 11/412

FI (9件)：

G11C17/00 623Z , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L27/10 441 , G11C29/00 603J , G11C17/00 611Z , G11C17/00 612Z , G11C11/40 101 , G11C11/40 301

Fターム (39件)：

5B015HH01 , 5B015JJ05 , 5B015KA10 , 5B015QQ16 , 5B125BA08 , 5B125CA02 , 5B125CA11 , 5B125EB02 , 5B125EK01 , 5B125EK02 , 5B125EK03 , 5B125FA07 , 5B125FA10 , 5F083BS14 , 5F083EP03 , 5F083EP17 , 5F083EP22 , 5F083EP25 , 5F083EP63 , 5F083ER02 , 5F083ER11 , 5F083ER30 , 5F083NA01 , 5F083ZA13 , 5F101BA04 , 5F101BA14 , 5F101BA41 , 5F101BB04 , 5F101BC04 , 5F101BC11 , 5F101BD07 , 5F101BD21 , 5F101BD35 , 5F101BD36 , 5L106AA02 , 5L106AA10 , 5L106CC05 , 5L106CC13 , 5L106CC32

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第6,518,614号公報
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-132041 出願人：富士通株式会社

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