特許

J-GLOBAL ID：200903038419130306

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 福田 昌俊 ,  杉崎 太郎 ,  中西 俊郎 ,  奈良 安雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-132041
公開番号（公開出願番号）：特開2004-056095
出願日： 2003年05月09日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】絶縁層よりなる電荷蓄積層に電荷を蓄積することにより情報を記憶する不揮発性半導体記憶装置に関し、電荷保持特性を改善して2ビット動作時における蓄積電荷の分離を確実にしうる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板30中に形成されたソース領域44及びドレイン領域46と、ソース領域44とドレイン領域46との間の半導体基板30上に、絶縁膜32を介して形成されたゲート電極36と、ゲート電極36のソース領域44側の側壁及びドレイン領域46側の側壁の少なくとも一方に形成された、誘電体材料よりなる電荷蓄積部42a,42bとを有する。これにより、ソース領域44側に蓄積する電荷とドレイン領域46側に蓄積する電荷とを空間的に容易に分離することができる。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

半導体基板中に形成されたソース領域及びドレイン領域と、 前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体基板上に、第1の絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極の前記ソース領域側の側壁及び前記ゲート電極の前記ドレイン領域側の側壁の少なくとも一方に形成された、誘電体材料よりなる電荷蓄積部と を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (2件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (30件)：

5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP48 ,  5F083EP63 ,  5F083EP64 ,  5F083EP69 ,  5F083ER02 ,  5F083ER21 ,  5F083GA21 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA06 ,  5F083JA53 ,  5F083JA60 ,  5F083NA01 ,  5F083PR37 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA42 ,  5F101BA44 ,  5F101BA45 ,  5F101BA47 ,  5F101BB02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD07 ,  5F101BD09 ,  5F101BD35 ,  5F101BE07 ,  5F101BF03 ,  5F101BF05 ,  5F101BH09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-254782   出願人：株式会社東芝
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-033678   出願人：シャープ株式会社