特許
J-GLOBAL ID：200903057409165980

磁石内でイオンビームを中性化するための方法および装置

発明者：
リーバート、ルーエル・ビー

リーバート、ルーエル・ビー について

, 
ペーザーセン、ベエルン・オー

ペーザーセン、ベエルン・オー について


出願人/特許権者：
バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド

バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 竹内 澄夫 ,  堀 明▲ひこ▼
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-548860
公開番号（公開出願番号）：特表2006-510165
出願日： 2003年11月05日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【解決手段】イオンビームとともに使用する磁石組立体が提供される。磁石組立体はイオンビームの経路に配置される磁石および電子源を含む。磁石は、イオンビームが通過する磁石間隙を画定する、間隔があけられた第一および第二のポールピースを含む。電子源は、磁石間隙で低エネルギー電子を生成するために、ポールピースの少なくともひとつまたはその近傍に配置される。電子源はたとえば、一次元または二次元の電子エミッターの配列、またはひとつ以上の線形のエミッターを含むことができる。磁石組立体は、磁石間隙でイオンビームの空間電荷膨張を制限するために、イオン注入器において利用することができる。
請求項（抜粋）：
イオン注入器であって、 イオンビームを生成するイオン源と、 イオンビームのイオンを偏向するための、イオンビームの経路に配置される少なくともひとつの磁石であって、イオンビームが通過する磁石間隙を画定するために間隔があけられた第一および第二のポールピースを含む、少なくともひとつの磁石と、 磁石間隙で低エネルギー電子を形成するための、前記ポールピースの少なくともひとつまたはその近傍に配置される電子源と、 イオン注入のためにターゲットを支持する、前記少なくともひとつの磁石の下流に位置する、ターゲットサイトと、 を含み、 イオンビームがターゲットサイトへと送出される、ところのイオン注入器。
IPC (1件)：
H01J 37/317
FI (1件)：
H01J37/317 Z
Fターム (2件)：
5C034CC02 ,  5C034CC17
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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