特許
J-GLOBAL ID：200903057422629553

気相加工方法及びその装置

発明者：
山中 英雄

山中 英雄 について

, 
貝瀬 喜久夫

貝瀬 喜久夫 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-100804
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294542
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 反応種(イオン、ラジカルなどの反応種)の運動エネルギーを十二分にコントロールして、基板にダメージを与えることなしに、エッチング(更にはアッシング)を高選択的に行える方法と、この方法に用いる装置を提供すること。【解決手段】 CF4 ガスなどの反応ガス40を加熱されたタングステンなどの触媒体46に接触させ、これによって生成した反応種又はその前駆体にグロー放電開始電圧以下である1kV以下のDC電圧49又はこれにRF電圧115又はAC電圧125を重畳した電圧を印加し、これによるDC、RF/DC又はAC/DC電界を作用させて運動エネルギーを与え、基板1上の多結晶シリコンなどの所定の膜を気相エッチングする。
請求項（抜粋）：
反応ガスを加熱された触媒体に接触させ、これによって生成した反応種又はその前駆体にグロー放電開始電圧以下の電界を作用させて運動エネルギーを与え、基体又は基体上の膜をエッチング又はアッシングする気相加工方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 H
Fターム (53件)：
5F004AA00 ,  5F004AA01 ,  5F004AA02 ,  5F004AA06 ,  5F004BA19 ,  5F004BB11 ,  5F004BB12 ,  5F004BB17 ,  5F004BB18 ,  5F004BB19 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA05 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB04 ,  5F004DB05 ,  5F004DB06 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09 ,  5F004DB10 ,  5F004DB12 ,  5F004DB13 ,  5F004DB14 ,  5F004DB15 ,  5F004DB16 ,  5F004DB17 ,  5F004DB18 ,  5F004DB19 ,  5F004DB20 ,  5F004DB23 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F004DB30 ,  5F004EA34 ,  5F004EA35
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 材料の損傷除去方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-256822   出願人：松下電器産業株式会社, 大阪ダイヤモンド工業株式会社
  • ドライエッチング方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-197829   出願人：新日本製鐵株式会社
  • 特開昭62-171993

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