特許
J-GLOBAL ID：200903057434635842
レジストのアッシング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-286290
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135186
出願日： 1996年10月29日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】ポッピングおよびチャージアップダメージを生じさせることなく、高速でイオン注入レジストをアッシングできるレジストのアッシング方法を提供する。【解決手段】プラズマ発生領域(1)から試料(S)へ向けてプラズマ(P)をダウンフローさせて、試料(S)上のイオン注入レジストをアッシングする方法であって、試料(S)を加熱された試料台(4)からリフトピン(6)で持ち上げた状態(図1(a))でアッシングした後、試料(S)を試料台(6)に載置した状態(図1(b))でアッシングする方法。
請求項（抜粋）：
プラズマ発生領域から試料へ向けてプラズマをダウンフローさせて、試料上のレジストをアッシングする方法であって、試料を、加熱された試料台からリフトピンで持ち上げた状態でアッシングした後、試料台に載置した状態でアッシングすることを特徴とするレジストのアッシング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/027
, H01L 21/68
, H01L 21/266
H01L 21/302 H
, H01L 21/68 N
, H01L 21/30 572 A
, H01L 21/265 M
