特許

J-GLOBAL ID：200903057452296419

NOxガス検知半導体およびその製造方法

発明者： 中野 由崇
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-012873
公開番号（公開出願番号）：特開平7-218460
出願日： 1994年02月04日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 空気中での電気抵抗値が低く、NOX ガスを高感度に検出することができるNOX ガス検知半導体とすることを目的とする。【構成】 酸化第二錫および酸化亜鉛を主成分とし半導体中の酸化第二錫に対する酸化亜鉛の元素比(Zn/Sn)が1.8〜1.1の範囲にあるNOX ガス検知半導体。この半導体は非晶質に近い構造を有し、上記の組成にスッパタリングなどの蒸着で形成された後、600〜800°Cの温度範囲で熱処理されて製造される。この半導体を使用したNOX ガス検知素子は、電は抵抗値が低く高感度でNOX ガスを検知することができる。

請求項（抜粋）：

酸化第二錫および酸化亜鉛を主成分とし、該半導体中の酸化第二錫に対する酸化亜鉛の元素比(Zn/Sn)が1.8〜1.1の範囲にあることを特徴とするNOX ガス検知半導体。