特許

J-GLOBAL ID：200903057456172900

半導体素子の製造に用いられるプラズマ装置

発明者： 金 貴 相 ,  閔 泳 敏 ,  朴 仁 成
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-270651
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106361
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】 ウェーハが置かれるチャックと接地端子間の全体チャックキャパシタンスを常に一定値に維持できるキャパシタンス補償機を備えるプラズマ装置及び工程変数を常に一定に維持できるプラズマ装置を提供する。【解決手段】 本発明は半導体素子の製造に用いられるプラズマ装置に係り、所定の工程が進められる空間を提供する接地されたチャンバCBと、チャンバCB内部に装着されてチャンバCBと絶縁されたチャックCKと、チャックCKの側壁周辺に設けられてチャンバCBと電気的に連結されたガス注入リングRと、チャックCKと接続された誘導プラズマ電源PS2と、誘導プラズマ電源PS2を制御する信号を出力させるシステム制御器SCと、チャックCK及び接地端子間の全体チャックキャパシタンスを一定値に維持させるキャパシタンス補償機CCを含む。これにより、プラズマ工程の均一度を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

所定の工程が進められる空間を提供する接地されたチャンバと、前記チャンバ内部に装着されて前記チャンバと絶縁されたチャックと、前記チャックと接続されたチャックプラズマ電源と、前記チャックプラズマ電源を制御する信号を出力させるシステム制御器と、前記チャック及び接地端子間の全体チャックキャパシタンスを一定値に維持させるキャパシタンス補償機とを含むことを特徴とするプラズマ装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/205

引用特許：

出願人引用 (2件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-049994   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開平4-354867
  

審査官引用 (2件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-049994   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開平4-354867