特許
J-GLOBAL ID：200903057459246972

窒化ガリウム単結晶の成長方法

発明者：
丸谷 幸利

丸谷 幸利 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-015966
公開番号（公開出願番号）：特開2003-212697
出願日： 2002年01月24日
公開日（公表日）： 2003年07月30日
要約：
【要約】【課題】 各種デバイスの特性向上のため、結晶欠陥の少ない高品質の窒化ガリウム単結晶を作製可能な窒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。【解決手段】 反応容器内にガリウム源含有ガスと窒素源含有ガスとを供給し、窒化ガリウム単結晶を気相成長させる方法であって、水素ガス存在下、ガリウム源の分圧を3×10-4atm以下、成長温度950°C以上とし、〈000-1〉方向に成長させる。
請求項（抜粋）：
反応容器内にガリウム源含有ガスと窒素源含有ガスとを供給し、窒化ガリウム単結晶を気相成長させる方法であって、水素ガス存在下で、上記ガリウム源の分圧を3×10-4atm以下、成長温度950°C以上とし、〈000-1〉方向に成長させる窒化ガリウム単結晶の成長方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
C30B 29/38 D ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
Fターム (38件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TB05 ,  4G077TJ03 ,  4G077TJ04 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045DQ06 ,  5F045EB02 ,  5F045EM10
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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