特許

J-GLOBAL ID：200903007827936995

オプトエレクトロニクスデバイスおよびエレクトロニクスデバイス用窒化アルミニウム、インジウム、ガリウム((Al,In,Ga)N)自立基板のエピタキシー品質(表面凹凸および欠陥密度)の改良を実現する方法

発明者： フリン,ジェフリー,エス. ,  ブランデス,ジョージ,アール ,  バウド,ロバート,ピー. ,  ケオグ,デービッド,エム. ,  ク,クエピング ,  ランディニ,バーバラ,イー.
出願人/特許権者： アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-505658
公開番号（公開出願番号）：特表2004-502298
出願日： 2001年06月27日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

例えば、自立性のIII-V族窒化物基板上のIII-V族窒化物ホモエピタキシャルエピ層を備える、III-V族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造を記述する。III族源物質と窒素源物質を使用し、V/III比が約1〜約105の範囲、窒素源物質分圧が約1〜約103Torrの範囲、成長温度が約500〜約1250°Cの範囲、成長速度が約0.1ミクロン/時〜約500ミクロン/時の範囲のプロセス条件下、VPE法でIII-V族窒化物ホモエピタキシャル層を堆積させることによって、対応するIII-V族窒化物基板上にIII-V族窒化物ホモエピタキシャル層を形成する方法を含め、さまざまなプロセシング技術が開示されている。III-V族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造体は、UV LED、高電子移動トランジスタなどのデバイス用途に、有用に利用可能である。

請求項（抜粋）：

対応するIII-V族窒化物基板上にIII-V族窒化物ホモエピタキシャル層を形成する方法であって、III族源物質と窒素源物質を使用し、V/III比が約1〜約105の範囲、窒素源物質分圧が約1〜約103Torrの範囲、成長温度が約500〜約1250°Cの範囲、成長速度が約0.1ミクロン/時〜約500ミクロン/時の範囲の堆積条件下、VPE法によりIII-V族窒化物ホモエピタキシャル層を堆積させる堆積工程を備える方法。

IPC (7件)：

H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/00

FI (6件)：

H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 C ,  C30B29/38 D ,  H01L33/00 C ,  H01L29/80 H

Fターム (71件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077EE03 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB05 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TC13 ,  4G077TC17 ,  4G077TC19 ,  4G077TK06 ,  4G077TK10 ,  4K030AA11 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030LA14 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA02 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA73 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045EE12 ,  5F045HA02 ,  5F045HA16 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 特開平2-267935
  
• 特開昭62-272541
  
• 窒化物系III-V族化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-252664   出願人：日本電気株式会社
• 窒化物系III-V族化合物半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-248709   出願人：ソニー株式会社
• エッチングマスクおよびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-215820   出願人：ソニー株式会社
• エピタキシャルウェハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-337797   出願人：住友電気工業株式会社
• 絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-235336   出願人：日本電信電話株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• GaN homoepitaxial layers grown by metalorganic chemical vapor deposition