特許

J-GLOBAL ID：200903057464427780

GaN系半導体素子の製造方法

発明者： 加藤 久喜 ,  小出 典克
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-064360
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251632
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 ELO法においてパターン層の上に形成されるGaN系半導体の横方向の成長速度を向上させる。【解決手段】 パターン層上にELOによりGaN系半導体層を成長させる際のキャリアガスとして窒素ガスを用いる。

請求項（抜粋）：

窒素ガスをキャリアガスとするELO(Epitaxial LateralOvergrowth)により下地層を形成する、ことを特徴とするGaN系半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• GaN系半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-327927   出願人：三菱電線工業株式会社
• 特公平3-031678