特許

J-GLOBAL ID：200903057468516281

高磁束密度低損失Ni-Cu-Zn系フェライト焼結体およびDC-DCコンバータ用トランス

発明者： 上田 等 ,  小湯原 徳和 ,  内川 晃夫
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
代理人 (1件)： 大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-158654
公開番号（公開出願番号）：特開平10-007454
出願日： 1996年06月19日
公開日（公表日）： 1998年01月13日
要約：

【要約】【目的】 比抵抗の高いNi-Cu-Znフェライトにおいて、飽和磁束密度が大きくて損失が小さい、DC/DCコンバータ等のトランス用等として使用できるフェライトを提供する。【構成】 Fe2O3 49.0〜50.0mol%、ZnO 18.0〜26.0、CuO 0〜12.0mol%、残部がNiOから成る組成を有するフェライトにおいて、20〜140°Cにおける損失(コアロス)の最小値が150kW/m3以下(周波数50kHz、動作磁束密度50mT)で飽和磁束密度が420mT以上(印加磁界4000A/m)の特性をもつ。

請求項（抜粋）：

Fe2O3 49.0〜50.0mol%、ZnO 18.0〜28.0、CuO 0〜12.0mol%(但し、0mol%を含まない)、残部がNiOから成る組成を有し、平均結晶粒径が3〜30μmであり、20〜140°Cにおける損失(コアロス)の最小値が150kW/m3以下(周波数50kHz、動作磁束密度50mT)で、飽和磁束密度が420mT(印加磁界4000A/m)以上であることを特徴とする高磁束密度低損失Ni-Cu-Zn系フェライト焼結体。

IPC (4件)：

C04B 35/30 ,  H01F 27/255 ,  H01F 30/00 ,  H02M 3/00

FI (4件)：

C04B 35/30 C ,  H02M 3/00 Y ,  H01F 27/24 D ,  H01F 31/00 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公平7-032095
  
• Ni系電源用低損失フェライト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-072498   出願人：日立フェライト株式会社