特許
J-GLOBAL ID：200903057478557105
半導体レーザ素子及び半導体レーザアレイ素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-126078
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335969
出願日： 1994年06月08日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】フォトンリサイクリング効果の利用や電流狭窄層の高抵抗化により、半導体レーザ素子あるいは半導体レーザアレイ素子のしきい値低減及び効率増大を図る。【構成】p-InP基板8上に形成された幅約1μmの活性層ストライプ10の近傍にn-InPブロック層6及びp-InPブロック層5を配置した埋込ヘテロ型電流狭窄構造を有している。また、活性層ストライプ10の両側にはこれと平行に設けられた溝11をもつ。溝11の深さは活性層ストライプ10の位置より深く、その間隔Wは10μmである。厚さ1μm以上のAuからなるn側電極1は溝11を含む素子表面全体に形成され、活性層ストライプ10からの自然放出光に対する高反射ミラーの機能をもつ。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に積層された半導体多層膜からなる活性層ストライプ及び電流狭窄構造を有する半導体レーザ素子において、前記活性層ストライプの両側に前記活性層ストライプの位置より深い溝を有し、前記溝側面及び前記活性層ストライプ上方の素子表面に高反射膜が形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
前のページに戻る
