特許

J-GLOBAL ID：200903057503694767

半導体装置

発明者： 田島 実 ,  永瀬 徹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-321296
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158553
出願日： 2002年11月05日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】多層基板の異なる層間で差動線路を接続するにあたって、信号の反射による波形品質の劣化を抑えることが可能な半導体装置を得ること。【解決手段】ICチップ2と、ICチップ2が実装される第1の誘電体層111とBGAボール7が形成される第2の誘電体層11nとが、信号ビア5が形成される領域を囲むように形成されたグランド導体層121を介して接合される多層基板1とを備え、ICチップ2の一対の信号線端子が、第1の誘電体層111上に形成された一対の線路4と多層基板1を垂直に貫通する一対の信号ビア5とによって一対のBGAボール7と接続され、信号ビア5を挟むようにグランド導体層121と第2の誘電体層11nを貫通するグランドビア6が形成される半導体装置であって、一対の線路4が一対の信号ビア5の間隔とほぼ等しい間隔を有する結合差動線路によって構成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ICチップと、 前記ICチップが実装される第1の誘電体層と、バンプが形成される第2の誘電体層とが、信号ビアが形成される領域を囲むように形成されたグランド導体層を介して接合される多層基板と、 を備え、前記ICチップの一対の信号線端子が、前記第1の誘電体層上に形成された一対の線路と前記多層基板を垂直に貫通する一対の信号ビアとによって、前記一対のバンプと接続され、前記信号ビアを挟むように前記グランド導体層と前記第2の誘電体層を貫通するグランドビアが形成される半導体装置であって、前記一対の線路は、前記一対の信号ビアの間隔とほぼ等しい間隔を有する結合差動線路によって構成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L23/12

FI (3件)：

H01L23/12 E ,  H01L23/12 301Z ,  H01L23/12 501B

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 差動ストリップ線路垂直変換器および光モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-332593   出願人：三菱電機株式会社
• 電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-348270   出願人：大塚寛治, 宇佐美保, 株式会社日立製作所, 沖電気工業株式会社, 三洋電機株式会社, シャープ株式会社, ソニー株式会社, 株式会社東芝, 日本電気株式会社, 松下電子工業株式会社, 三菱電機株式会社, 富士通株式会社, ローム株式会社
• 特開平4-317359