特許
J-GLOBAL ID：200903057514622385

窒化物半導体レーザ装置

発明者：
花岡 大介

花岡 大介 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-295939
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101113
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】本発明は、レーザ発振寿命の長い窒化物半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【解決手段】窒化物半導体レーザ素子103をハンダ107で、支持基体となるサブマウント102に固定する際、窒化物半導体基板の熱膨張係数よりも大きな熱膨張係数を有する材料からなるサブマウントを用い、サブマウントの厚さを、n型GaN基板1と窒化物半導体積層部2とで構成される窒化物半導体積層構造の厚さの1.2倍以上とし、n型GaN基板1とサブマウント102との間の金属膜の厚さを1〜50μmとする。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体基板と該窒化物半導体基板の表面上に積層される複数の窒化物半導体層から成る窒化物半導体積層部とを備えた窒化物半導体レーザ素子と、該窒化物半導体レーザ素子を固定する支持基体とを備えた窒化物半導体レーザ装置において、前記支持基体が、熱膨張係数が前記窒化物半導体レーザ素子を構成する窒化物半導体基板の熱膨張係数よりも大きい材質で構成されるとともに、その厚さが前記窒化物半導体基板と前記窒化物半導体積層部とで成る窒化物半導体積層構造部の厚さの1.2倍以上であることを特徴とする窒化物半導体レーザ装置。
Fターム (11件)：
5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28 ,  5F073FA14 ,  5F073FA16 ,  5F073FA22 ,  5F073FA27
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM