特許
J-GLOBAL ID:200903032042293525

光学装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 隆久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-137739
公開番号(公開出願番号):特開2002-335032
出願日: 2001年05月08日
公開日(公表日): 2002年11月22日
要約:
【要約】【課題】半導体発光素子チップからの熱放散特性を向上することができる光学装置とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体レーザチップLDなどの半導体発光素子チップ、サブマウントSMおよびヒートシンクHSが順に接合された構成の光学装置において、半導体発光素子チップLDが第1の融点を有する第1のハンダSJaによりサブマウントSMに接合されており、かつ、サブマウントSMが第1の融点よりも低い第2の融点を有する第2のハンダにSJbよりヒートシンクHSに接合されている構成とする。半導体発光素子チップLDを第1のハンダSJaによりサブマウントSMに接合した後、サブマウントSMを第2のハンダSJbによりヒートシンクHSに接合して形成する。
請求項(抜粋):
半導体発光素子チップと、上記半導体発光素子チップが接合されたサブマウントと、上記サブマウントが接合されたヒートシンクとを有し、上記半導体発光素子チップが第1の融点を有する第1のハンダにより上記サブマウントに接合されており、上記サブマウントが上記第1の融点よりも低い第2の融点を有する第2のハンダにより上記ヒートシンクに接合されている光学装置。
IPC (2件):
H01S 5/022 ,  G11B 7/125
FI (2件):
H01S 5/022 ,  G11B 7/125 A
Fターム (18件):
5D119AA33 ,  5D119AA36 ,  5D119AA38 ,  5D119BA01 ,  5D119FA05 ,  5D119FA28 ,  5D119FA32 ,  5D119NA04 ,  5F073AB21 ,  5F073AB25 ,  5F073AB27 ,  5F073BA04 ,  5F073EA29 ,  5F073FA02 ,  5F073FA06 ,  5F073FA13 ,  5F073FA22 ,  5F073FA23
引用特許:
審査官引用 (12件)
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