特許

J-GLOBAL ID：200903057523298825

半導体装置の製造方法

発明者： 長谷川 英司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-075919
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291112
出願日： 1993年04月01日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】ケイ素半導体基板に熱酸化膜を形成する時に、洗浄及び入炉中に形成される自然酸化膜の量を減らして純粋な熱酸化膜を形成するとともに、基板表面のマイクロラフネスの増加を防ぐ。【構成】洗浄によって形成された自然酸化膜4をフッ化水素酸水溶液でエッチングした後、過酸化水素水に浸漬させて再び自然酸化膜5を形成する。次に550°C以下の温度、非酸化性雰囲気中で熱処理する。この処理により、自然酸化膜5は強固な熱酸化膜と同等の絶縁性を有する自然酸化膜6になる。この状態で、非酸化性雰囲気中で昇温して、酸化性の雰囲気に切り替えて熱酸化膜を形成する。非酸化性の雰囲気で昇温することにより、その間に形成される自然酸化膜を抑制でき、また従来、非酸化性雰囲気中で消音することにより生ずる基板表面のマイクロラフネスは、保護酸化膜5によって防止することができる。

請求項（抜粋）：

ケイ素半導体基板への熱酸化膜形成に関して、洗浄工程によって形成された自然酸化膜を除去し、酸化性の薬品により再び自然酸化膜を形成した後、熱処理をおこない、さらにその後連続して非酸化性雰囲気中にて昇温し、さらに酸化性雰囲気中で熱酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 酸化膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-238646   出願人：大見忠弘