特許
J-GLOBAL ID：200903057535605693
基板の温度測定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-239421
公開番号（公開出願番号）：特開平11-079887
出願日： 1997年09月04日
公開日（公表日）： 1999年03月23日
要約：
【要約】【課題】 回転式サセプタを用いた気相成長装置において、各基板の中心などの特定位置における温度を正確に測定することのできる基板の温度測定方法を提供する。【解決手段】反応炉内の回転式サセプタ上に複数の基板を載置して、各基板上に薄膜の結晶を気相成長させる場合において、前記回転式サセプタ上の各基板の位置検出信号と、基板の配置パターンおよび回転数に関する情報とに基づいて温度を測定するタイミングを適宜決定して、基板面の特定位置の温度を測定するようにした。
請求項（抜粋）：
反応炉内の回転式サセプタ上に複数の基板を載置して、各基板上に薄膜を気相成長させる場合において、前記回転式サセプタ上の各基板の位置検出信号と、基板の配置パターンおよび回転数に関する情報とに基づいて温度を測定するタイミングを適宜決定して、基板面の特定位置の温度を測定するようにしたことを特徴とする基板の温度測定方法。
引用特許：
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