特許

J-GLOBAL ID：200903057559463946

セラミックス-金属複合回路基板

発明者： 桜庭 正美 ,  木村 正美 ,  中村 潤二 ,  高原 昌也
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (1件)： 澤木 誠一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-114367
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283671
出願日： 1996年04月12日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 従来のセラミックス-金属複合回路基板はボイド率が大きく放熱性が悪い欠点があった。【解決手段】 本発明のセラミックス-金属複合回路基板においては、セラミックス基板の主面上に接合した金属板上の半導体搭載部分の接合界面におけるボイドを面積率で1.5%以下とする。また、上記セラミックス基板として表面粗さ計で15μm/20mm以下のアルミナ基板を用いる。活性金属法では脱バインダー条件を600°C×4Hr以上、あるいは650°C×2Hr以上でボイド率を1.5%以下にできた。

請求項（抜粋）：

セラミックス基板とその少なくとも一方の主面上に接合された金属板とからなり、少なくとも該金属板上の半導体搭載部分の接合界面におけるボイドが超音波探傷装置測定で、面積率が1.5%以下であることを特徴とするセラミックス-金属複合回路基板。

IPC (4件)：

H01L 23/373 ,  C04B 37/02 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/38

FI (4件)：

H01L 23/36 M ,  C04B 37/02 B ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 3/38 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-302055   出願人：電気化学工業株式会社
• 特開昭58-217475
  
• 特開平3-290378
  
• 特開平1-201085