特許
J-GLOBAL ID：200903057574548109
半導体装置の製造方法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-018653
公開番号（公開出願番号）：特開2005-216948
出願日： 2004年01月27日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 ダイシング工程前にダイボンド用のフィルム状接着部材を半導体ウェハの裏面に接着する半導体装置の製造方法を採用した場合にも、歩留まりよく半導体装置を製作する。【解決手段】 本発明に基づく半導体装置の製造方法は、集積回路が形成された半導体ウェハの表面にフィルム状保護部材を貼付し、半導体ウェハの裏面を研削して半導体ウェハを薄仕上げする工程と、薄仕上げした半導体ウェハの裏面にダイボンド用のフィルム状接着部材を貼付する工程と、フィルム状接着材が貼付された半導体ウェハを裏面側から全面にわたって吸着保持し、この状態を維持しつつフィルム状保護部材を半導体ウェハの表面から剥離する剥離工程と、フィルム状保護部材が剥離された半導体ウェハを表面側から全面にわたって吸着保持し、この状態を維持しつつ加熱処理を施すことによりフィルム状接着部材を半導体ウェハの裏面に接着する工程とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体素子を含む集積回路が形成された半導体ウェハの表面にフィルム状保護部材を貼付し、前記半導体ウェハの裏面を研削して前記半導体ウェハを薄仕上げする半導体ウェハ薄仕上げ工程と、
前記半導体ウェハ薄仕上げ工程後の前記半導体ウェハの裏面にダイボンド用のフィルム状接着部材を貼付するフィルム状接着部材貼付工程と、
前記フィルム状接着部材貼付工程後の前記半導体ウェハを裏面側から全面にわたって吸着保持し、この状態を維持しつつ前記フィルム状保護部材を前記半導体ウェハの表面から剥離するフィルム状保護部材剥離工程と、
前記フィルム状保護部材剥離工程後の前記半導体ウェハを表面側から全面にわたって吸着保持し、この状態を維持しつつ加熱処理を施すことにより前記フィルム状接着部材を硬化させ、前記フィルム状接着部材を前記半導体ウェハの裏面に接着するフィルム状接着部材接着工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/301
, H01L21/304
, H01L21/68
H01L21/78 M
, H01L21/304 631
, H01L21/68 N
, H01L21/78 Q
5F031CA02
, 5F031DA15
, 5F031FA01
, 5F031FA07
, 5F031MA30
, 5F031MA34
, 5F031MA35
, 5F031MA37
, 5F031MA38
, 5F031PA26
