不揮発性記憶装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-326185
公開番号（公開出願番号）：特開2008-033379
出願日： 2004年11月10日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：

【課題】高速アクセスあるいは省電力などの様々な要求(使用用途)に適応できる不揮発性記憶装置あるいはメモリコントローラを提供する。具体的には、フラッシュメモリの同時アクセス数(バンク数)を適応的に変更可能な不揮発性記憶装置を実現すること。【解決手段】メモリコントローラ113内部に切替レジスタ105を設け、アクセス装置100が当該レジスタを書き換えることによって不揮発性メモリ114の同時アクセス数を変更する。あるいは、不揮発性メモリ114内部に切替レジスタ105を設け、アクセス装置100の指示に応じてメモリコントローラ113が当該レジスタを書き換えることによって不揮発性メモリ114の同時アクセス数を変更してもよい。また、予め不揮発性記憶装置115内の不揮発性記憶デバイス(ROM104等)に記憶しておき、起動時にこれを読み出して切替レジスタ105に設定するようにしてもよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出すメモリコントローラであって、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記外部のアクセス装置によって逐次設定される切替レジスタとを有し、前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とするメモリコントローラ。

IPC (4件)：

G06F 12/06 , G06F 12/00 , G11C 16/02 , G06K 19/07

FI (7件)：

G06F12/06 523A , G06F12/06 515H , G06F12/06 525A , G06F12/06 540B , G06F12/00 597U , G11C17/00 613 , G06K19/00 N

Fターム (17件)：

5B035AA02 , 5B035AA05 , 5B035AA06 , 5B035BB09 , 5B035CA11 , 5B035CA13 , 5B035CA29 , 5B060HA02 , 5B125BA01 , 5B125CA01 , 5B125CA04 , 5B125CA08 , 5B125DA05 , 5B125DD01 , 5B125DD04 , 5B125EA07 , 5B125EF09

引用特許：

出願人引用 (1件)

不揮発性半導体記憶装置および半導体ディスク装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-001590 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社

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