特許
J-GLOBAL ID：200903016956830027

不揮発性半導体記憶装置および半導体ディスク装置

発明者：
小林 直樹

小林 直樹 について

, 
佐伯 俊一

佐伯 俊一 について

, 
倉田 英明

倉田 英明 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

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日立デバイスエンジニアリング株式会社

日立デバイスエンジニアリング株式会社 について


代理人 (1件)： 小川 勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-001590
公開番号（公開出願番号）：特開2001-266579
出願日： 2001年01月09日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】 それぞれのバンクを外部から独立に制御可能な不揮発性半導体記憶装置、および、不揮発性半導体記憶装置のレディー状態になったバンクに直ちに次の書込みを行うことが可能な半導体ディスク装置を提供する。【解決手段】 データレジスタからメモリセルへの書込み動作が各バンク毎に独立に動作可能であり、かつ、外部から、各バンクのデータレジスタへの書込みデータの転送が、他のバンクにおいてデータレジスタからメモリセルへの書込み動作を実行中であっても可能とする。
請求項（抜粋）：
複数のワード線と、該複数のワード線に交差して設けられた複数のビット線と、該ワード線と該ビット線の各交点に設けられた不揮発性メモリセルからなるメモリセルアレー、および、外部から入力された書込みデータを一時記憶可能なデータレジスタからなるバンクを複数備え、該複数のバンクはそれぞれ、入力コマンド、および、入力アドレス信号の組合わせによって特定のワード線を選択し、該ワード線と接続するメモリセルのすべて、または一部に対し、データレジスタに記憶された書込みデータを書込み可能な不揮発性半導体記憶装置において、前記各バンクにおける、データレジスタからメモリセルへの書込み動作が各バンク毎に独立に動作可能であり、かつ、一部のバンクでデータレジスタからメモリセルへの書込み動作を実行中であっても他のバンクを指定し、外部から該バンクのデータレジスタへ、書込みデータを転送することが可能であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (3件)：
G11C 17/00 611 Z ,  G11C 17/00 601 Z ,  G11C 17/00 601 T
Fターム (3件)：
5B025AD01 ,  5B025AD04 ,  5B025AE05
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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