特許
J-GLOBAL ID：200903057588938252

低温焼成セラミック回路基板

発明者：
小田 勉

小田 勉 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-097957
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299822
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 焼結開始温度の異なる2種類の誘電体層を一体的に焼成しても、基板表面からビアホール導体の突起を抑えることができる回路基板を提供する。【解決手段】 異なる2種類の第1、第2の誘電体層1a、1b、2a〜2cを積層するとともに、第1、第2の誘電体層1a、1b、2a〜2cの内部に、それぞれ誘電体層の厚みを貫く、Agを主成分とする第1、第2のビアホール導体31、32を配置した低温焼成セラミック回路基板10であって、第2の誘電体層2a〜2cは、第1の誘電体層1a、1bに比べて焼結開始温度が高く、かつ第1のビアホール導体31はAg系材料に対してMoO3を2〜5重量部含有するとともに、第2のビアホール導体32はAg系材料に対してRu2Oを2〜5重量部含有した。
請求項（抜粋）：
焼結開始温度が異なる2種類の第1、第2の誘電体層を積層するとともに、前記第1、第2の誘電体層の層間に内部配線導体を配置し、且つ第1の誘電体層に第1のビアホール導体を、第2の誘電体層に第2のビアホール導体を夫々配置して成る低温焼成セラミック回路基板であって、前記第2の誘電体層は、第1の誘電体層に比べて焼結開始温度が高く、且つ前記第1のビアホール導体は、Ag系導体材料にMoO3を含有するとともに、前記第2のビアホール導体はRu2Oを含有することを特徴とする低温焼成セラミック回路基板。
IPC (4件)：
H05K 3/46 ,  C04B 35/495 ,  H01L 23/14 ,  H05K 1/09
FI (7件)：
H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 T ,  H05K 1/09 A ,  C04B 35/00 J ,  H01L 23/14 M
Fターム (69件)：
4E351AA07 ,  4E351BB01 ,  4E351BB31 ,  4E351BB49 ,  4E351CC12 ,  4E351CC22 ,  4E351CC31 ,  4E351DD05 ,  4E351DD17 ,  4E351DD20 ,  4E351DD21 ,  4E351DD31 ,  4E351DD32 ,  4E351DD34 ,  4E351DD41 ,  4E351DD47 ,  4E351EE02 ,  4E351GG01 ,  4E351GG03 ,  4G030AA10 ,  4G030AA16 ,  4G030AA20 ,  4G030AA27 ,  4G030AA29 ,  4G030AA32 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA40 ,  4G030AA61 ,  4G030BA09 ,  4G030BA12 ,  4G030CA03 ,  4G030CA08 ,  4G030GA19 ,  4G030GA27 ,  4G030HA01 ,  4G030HA04 ,  4G030HA12 ,  4G030HA18 ,  4G030HA25 ,  5E346AA02 ,  5E346AA05 ,  5E346AA12 ,  5E346AA13 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA33 ,  5E346AA43 ,  5E346AA51 ,  5E346CC21 ,  5E346CC31 ,  5E346CC35 ,  5E346CC39 ,  5E346DD02 ,  5E346DD13 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346EE25 ,  5E346EE27 ,  5E346EE29 ,  5E346FF05 ,  5E346FF18 ,  5E346FF45 ,  5E346GG04 ,  5E346GG06 ,  5E346GG08 ,  5E346GG09 ,  5E346HH11 ,  5E346HH31
引用特許：
審査官引用 (3件)

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