特許

J-GLOBAL ID：200903057613304816

ナノクリスタル構造体

発明者： エイスラー ハンス ジェイ. ,  サンダー ビクラム シー. ,  ワルシュ ミカエル イー. ,  クリモブ ビクター アイ. ,  バウエンディ モンギ ジー. ,  スミス ヘンリー アイ.
出願人/特許権者： マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー ,  ザ レゲンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア
代理人 (1件)： 石川 徹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-545469
公開番号（公開出願番号）：特表2005-512308
出願日： 2002年11月18日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】なし【解決手段】 回折格子(43)、及び該回折格子(43)の上に半導体ナノクリスタル層を含む構造体であって、レーザー(10)になり得る。該半導体ナノクリスタル層は、II-VI族の化合物を含む複数の半導体ナノクリスタル(32)を含み得、該ナノクリスタル(32)は、金属酸化物マトリックス(33)中に分布している。該回折格子(43)は、200nm〜500nmの周期性を有することができる。

請求項（抜粋）：

200 nmから500 nm に周期性を有する回折格子、及び該回折格子に配置された半導体ナノクリスタルの層を含む構造体。

IPC (3件)：

H01S5/12 ,  B82B1/00 ,  H01L29/06

FI (3件)：

H01S5/12 ,  B82B1/00 ,  H01L29/06 601N

Fターム (4件)：

5F173AB13 ,  5F173AB90 ,  5F173AH31 ,  5F173AH48

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-112391
  
• 光電子材料及びその応用デバイス、並びに光電子材料の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-227816   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-112584