特許
J-GLOBAL ID：200903003531489424
光電子材料及びその応用デバイス、並びに光電子材料の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-227816
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214995
出願日： 1997年08月25日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 無尽埋蔵量かつ環境汚染フリーな材料から成り、Si-LSI技術整合性、耐環境性、アセンブリーレス性を有する光電子材料及びその光電子材料を用いた各種応用デバイス、並びに光電子材料を製造できる製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 超微粒子14、23が、導電率等の制御可能な均質な媒質15、24中に分散された構成を有する光電子材料であり、発光素子等に利用可能である。また、この光電子材料は、低圧希ガス雰囲気内の第1のターゲット材にレーザ光を照射することによるアブレーションにより脱離・射出を生じさせて生成する超微粒子を、第1のターゲット材から離隔された雰囲気中の第2のターゲット材を蒸発させて形成した均質媒質中に分散して形成される。
請求項（抜粋）：
超微粒子が、前記超微粒子に対して,機械的特性、光学的特性または電気的特性が相対的に制御可能であって実質的に均質な媒質中に分散された光電子材料。
IPC (5件)：
H01L 33/00
, G01J 1/02
, H01L 31/10
, H05B 33/14
, H05B 33/22
H01L 33/00 A
, G01J 1/02 N
, H05B 33/14
, H05B 33/22
, H01L 31/10 A
