特許
J-GLOBAL ID:200903057614861808

固体放射作像装置及び作像装置配列を製造する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 生沼 徳二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-275444
公開番号(公開出願番号):特開平7-221279
出願日: 1994年11月10日
公開日(公表日): 1995年08月18日
要約:
【要約】【目的】 組み立てられた配列において1つの誘電体層を省くことのできる固体放射作像装置を提供する。【構成】 放射作像装置が個別にアドレス可能な複数の画素を有している光センサ配列を含んでいる。各々の画素は、光センサ・アイランドと、関連する薄膜トランジスタ(TFT)130とを有しており、TFT130は、光センサ・アイランドを選択的に所定のアドレス線に電気接続するように配設されている。各々の画素には、単一の共通の不活性化層160がTFT130及び光センサ・アイランドの上方に配設されており、不活性化層160がTFT130の外面及び光センサ・アイランドの一部の外面の両方に隣接している。
請求項(抜粋):
基板上に設けられており、個別にアドレス可能な複数の画素を含んでいる光センサ配列を備えており、前記画素の各々は、導電性接点パッド上に設けられた感光材料を含んでいる本体を有している光センサと、該光センサの接点電極と、アドレス線とに電気接続されており、前記光センサを前記アドレス線に選択的に接続するように設けられている薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタ及び前記光センサの上方に設けられており、前記薄膜トランジスタの外面と、前記光センサのアイランドの外面の少なくとも一部とに隣接して設けられている共通の不活性化層とを含んでいる固体放射作像装置。
IPC (4件):
H01L 27/146 ,  H01L 27/15 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/10
FI (3件):
H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 31/10 A
引用特許:
審査官引用 (5件)
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