特許
J-GLOBAL ID：200903057636297680
プラズマエッチング方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-196927
公開番号（公開出願番号）：特開2008-028022
出願日： 2006年07月19日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：
【課題】酸化膜に微細かつ高アスペクト比のホールをエッチングする際に、良好なエッチング選択性および形状性を両立することができるプラズマエッチング方法を提供すること。【解決手段】処理容器10内にエッチング対象の酸化膜、ハードマスク層、パターン化されたフォトレジストが順次形成された基板を搬入し、前記下部電極に載置する工程と、処理容器10内にCxFy(xは3以下の整数、yは8以下の整数)、C4F8、希ガス、O2を含む処理ガスを供給する工程と、上部電極34に第1の高周波印加手段48から高周波電力を印加して処理ガスのプラズマを生成する工程と、下部電極16に第2の高周波電力印加手段90からバイアス用の高周波電力を印加する工程と、上部電極34に直流電圧印加手段50から直流電圧を印加する工程とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
内部が真空排気可能な処理容器内に、基板の載置台として機能する下部電極と、下部電極に対向するように形成された上部電極とを設け、前記上部電極または下部電極にプラズマ生成用の相対的に高い周波数の高周波電力を印加し、前記下部電極にバイアス用の相対的に低い周波数の高周波電力を印加し、前記上部電極に直流電圧を印加し、前記処理容器内に供給された処理ガスをプラズマ化してプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置を用いて、基板に形成された酸化膜をハードマスク層を介してプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記処理容器内にエッチング対象の酸化膜、ハードマスク層、パターン化されたフォトレジストが順次形成された基板を搬入し、前記下部電極に載置する工程と、
前記処理容器内にCxFy(xは3以下の整数、yは8以下の整数)、C4F8、希ガス、O2を含む処理ガスを供給する工程と、
前記上部電極または前記下部電極に高周波電力を印加して前記処理ガスのプラズマを生成する工程と、
前記下部電極にバイアス用の高周波電力を印加する工程と、
前記上部電極に直流電圧を印加する工程と
を有することを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (19件)：
5F004AA02
, 5F004BA04
, 5F004BA09
, 5F004BB11
, 5F004BB12
, 5F004BB25
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004CA04
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA03
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB03
, 5F004DB04
, 5F004DB06
, 5F004EA03
, 5F004EA37
