MIS型トランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-043571
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254700
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】高集積化かつ高性能化が可能なMIS型トランジスタを提供する。【構成】 p型半導体基板1の主表面にはn型不純物拡散層3が形成される。p型半導体基板1の主表面上には第1および第2の層間絶縁層4,6とゲート電極5とが形成される。この第1および第2の層間絶縁層4,6とゲート電極5とを部分的に貫通するように第1の開口部7が設けられる。第1の開口部7内にはn型シリコンエピタキシャル層9とp型シリコンエピタキシャル層10とn型シリコンエピタキシャル層11との積層構造が形成される。少なくともp型シリコンエピタキシャル層10の内部には埋込絶縁層14が形成される。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層上面上に形成された第2導電型の第2半導体層と、前記第2半導体層上面上に形成された第1導電型の第3半導体層と、前記第2半導体層の側面と対向する位置に絶縁層を介在して形成されたゲート電極と、少なくとも前記第2半導体層に囲まれた絶縁層と、を備えたMIS型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 29/78 301 X , H01L 27/10 325 H

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平3-274762
特開平2-100358
特開平2-026066

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