半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-147550
公開番号（公開出願番号）：特開2000-341960
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】インバータ装置の電力変換用ブリッジ回路を構成するIGBT1U〜1Zと、抵抗04を介しモータ03の回生電力を消費する電流を断続するIGBT1DBと、対応するIGBTのドライブ回路及び保護回路を内蔵するプリドライバ3U〜3Z,3DBとを一体に収納した半導体装置であるインテリジェント・パワーモジュール(IPM)01にて、IGBT部分の異常時に保護回路が当該IGBTを遮断し、インバータ装置が突然停止して工場の操業等に重大な影響を与えることを防ぐ。【解決手段】保護回路は異常時にはアラームイネーブルライン5を介しIPMの外部に警報ALM1を出力するが、その前にIGBTのコレクタ電流又はチップ温度が、正常値より高く、警報ALM1を発する時のレベルより低い所定値を越えた時点に異常発生の兆しがあると判別して、IGBTは遮断せず予告警報ライン6を介し予告警報ALM2をIPMの外部へ出力する。

請求項（抜粋）：

電力変換用の少なくとも1つの半導体スイッチング素子と、この半導体スイッチング素子に付設され、外部から当該半導体スイッチング素子に対するオン/オフ指令を入力して、当該半導体スイッチング素子をその制御端子を介してそれぞれオン/オフ駆動するドライブ回路と、半導体スイッチング素子に付設され、当該半導体スイッチング素子部分の異常の有無を監視し、異常有りと判別したときは当該のドライブ回路に当該半導体スイッチング素子のオフ駆動を行わせる異常保護手段とを備えた半導体装置において、半導体スイッチング素子に付設され、当該の半導体スイッチング素子部分の異常発生の兆しを検出したときは予告警報を外部へ出力する異常予告手段を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H02M 7/48 , H02M 7/797 , H02P 7/63 302

FI (3件)：

H02M 7/48 M , H02M 7/797 , H02P 7/63 302 C

Fターム (28件)：

5H007AA17 , 5H007BB01 , 5H007BB06 , 5H007CA01 , 5H007CC01 , 5H007CC03 , 5H007DB03 , 5H007DB07 , 5H007FA01 , 5H007FA03 , 5H007FA13 , 5H576BB06 , 5H576BB07 , 5H576CC04 , 5H576DD02 , 5H576DD04 , 5H576HA04 , 5H576HB02 , 5H576LL22 , 5H576LL24 , 5H576LL44 , 5H576LL55 , 5H576MM01 , 5H576MM02 , 5H576MM03 , 5H576MM06 , 5H576MM10 , 5H576PP02

引用特許：

出願人引用 (2件)

警報回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-228692 出願人：三洋電機株式会社
電動機制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-325900 出願人：株式会社安川電機

審査官引用 (2件)

警報回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-228692 出願人：三洋電機株式会社
電動機制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-325900 出願人：株式会社安川電機

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