特許

J-GLOBAL ID：200903057704372938

半導体装置及びその製造方法

発明者： 青 木 伸 俊 ,  加 藤 弘 一 ,  関 根 克 行 ,  水 島 一 郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-063117
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264190
出願日： 2002年03月08日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】 バンドギャップ中の浅いエネルギー準位を低減させた絶縁膜を得ることを可能にする。【解決手段】 シリコン基板の少なくとも表面に窒素原子が配置された層を形成する工程と、窒素原子が配置された層中の窒素原子とシリコン基板表面に存在するシリコン原子とが三配位の共有結合状態となるようにする工程と、層中の三配位結合の窒素原子とシリコン原子の結合状態を保持しつつシリコン基板と層との間にシリコン酸化層を形成する工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の少なくとも表面に形成され窒素原子が三配位結合状態の酸窒化層と、この酸窒化層と前記シリコン基板との間に形成されるシリコン酸化層とを有するシリコン酸窒化膜を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (25件)：

5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD15 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA06 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD06 ,  5F140BD09 ,  5F140BE01 ,  5F140BE02 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG37 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置を形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-231211   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド